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AFT26H160-4S4R3

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

RF Power Transistor,2496 to 2690MHz, 100W, Typ Gain in dB is 14.9 @ 2496MHz, 28V, LDMOS, SOT1798

Overview

The 32 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 2496 to 2690 MHz.

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## Features

* Advanced High Performance In-Package Doherty

* Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation

* Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems

* RoHS Compliant

* In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 56 mm Tape Width, 13-inch Reel.

## Features RF Performance Table

### 2600 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Characterization Performance: VDD = 28 Vdc, IDQA = 500 mA, VGSB = 0.6 Vdc, Pout = 32 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
.
*Frequency** | **Gps
dB
.
* | **ηD
%
.
* | **Output PAR
dB
.
* | **ACPR
dBc
.
*

\---|---|---|---|---

2496 MHz| 14.9| 45.7| 8.0| –28.9

2570 MHz| 15.4| 45.6| 7.9| –30.8

2690 MHz| 15.1| 44.5| 7.8| –33.0

AFT26H160-4S4R3中文资料参数规格
技术参数

频率 2496MHz ~ 2690MHz

额定电流 10 µA

输出功率 32 W

增益 14.9 dB

测试电流 500 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -40 ℃

额定电压 28 VDC

电源电压 28 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 9

封装 NI-880X-4L4S-8

外形尺寸

封装 NI-880X-4L4S-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

AFT26H160-4S4R3引脚图与封装图
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在线购买AFT26H160-4S4R3
型号 制造商 描述 购买
AFT26H160-4S4R3 NXP 恩智浦 RF Power Transistor,2496 to 2690MHz, 100W, Typ Gain in dB is 14.9 @ 2496MHz, 28V, LDMOS, SOT1798 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: AFT26H160-4S4R3

品牌: NXP 恩智浦

封装: NI-880X-4L4S-8

当前型号

RF Power Transistor,2496 to 2690MHz, 100W, Typ Gain in dB is 14.9 @ 2496MHz, 28V, LDMOS, SOT1798

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