A2T20H330W24SR6

NXP(恩智浦) 分立器件

RF Power Transistor,1880 to 2025MHz, 240W, Typ Gain in dB is 16.9 @ 1960MHz, 28V, LDMOS, SOT1800

RF Mosfet LDMOS（双） 28 V 700 mA 1.88GHz 16.5dB 58W NI-1230-4LS2L

得捷:
IC TRANS RF LDMOS

艾睿:
RF Power LDMOS Transistor

安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 6-Pin NI-1230 T/R

RfMW:
RF Power Transistor,1880 to 2025 MHz, 240 W, Typ Gain in dB is 16.9 @ 1960 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1800

A2T20H330W24SR6中文资料参数规格

技术参数

频率 1.88 GHz

输出功率 58 W

增益 16.5 dB

测试电流 700 mA

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 7

封装 NI-1230-4LS2L

外形尺寸

封装 NI-1230-4LS2L

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

A2T20H330W24SR6引脚图与封装图

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A2T20H330W24SR6	NXP 恩智浦	RF Power Transistor,1880 to 2025MHz, 240W, Typ Gain in dB is 16.9 @ 1960MHz, 28V, LDMOS, SOT1800	搜索库存