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AFT18S290-13SR3

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

RF Power Transistor,1805 to 1995MHz, 263W, Typ Gain in dB is 18.2 @ 1960MHz, 28V, LDMOS, SOT1801

Overview

The 63 watt RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 1805 to 1995 MHz.

MoreLess

## Features

* Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation

* Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems

* Optimized for Doherty Applications

* RoHS Compliant

* In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 44 mm Tape Width, 13-inch Reel.

## Features RF Performance Tables

### 1900 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 2000 mA, Pout = 63 Watts Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
.
*Frequency** | **Gps
dB
.
* | **ηD
%
.
* | **Output PAR
dB
.
* | **ACPR
dBc
.
* | **IRL
dB
.
*

\---|---|---|---|---|---

1930 MHz| 18.0| 31.2| 7.1| –36.0| –19

1960 MHz| 18.2| 31.2| 7.1| –35.0| –19

1995 MHz| 18.2| 31.8| 6.9| –35.0| –12

### 1800 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 2000 mA, Pout = 63 Watts Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
.
*Frequency** | **Gps
dB
.
* | **ηD
%
.
* | **Output PAR
dB
.
* | **ACPR
dBc
.
* | **IRL
dB
.
*

\---|---|---|---|---|---

1805 MHz| 18.0| 33.3| 7.1| –35.0| –13

1840 MHz| 18.2| 32.7| 7.1| –35.0| –16

1880 MHz| 18.3| 32.6| 7.1| –34.0| –13

AFT18S290-13SR3中文资料参数规格
技术参数

频率 1.96 GHz

额定电流 10 µA

无卤素状态 Halogen Free

输出功率 63 W

增益 18.2 dB

测试电流 2 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -40 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 NI-880XS-2L4S

外形尺寸

封装 NI-880XS-2L4S

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

AFT18S290-13SR3引脚图与封装图
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在线购买AFT18S290-13SR3
型号 制造商 描述 购买
AFT18S290-13SR3 NXP 恩智浦 RF Power Transistor,1805 to 1995MHz, 263W, Typ Gain in dB is 18.2 @ 1960MHz, 28V, LDMOS, SOT1801 搜索库存
替代型号AFT18S290-13SR3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: AFT18S290-13SR3

品牌: NXP 恩智浦

封装: NI-880XS-2L4S

当前型号

RF Power Transistor,1805 to 1995MHz, 263W, Typ Gain in dB is 18.2 @ 1960MHz, 28V, LDMOS, SOT1801

当前型号

型号: AFT20P140-4WNR3

品牌: 恩智浦

封装: OM-780-4

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RF Power Transistor,1880 to 2025MHz, 130W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2025MHz, 28V, LDMOS, SOT1818

AFT18S290-13SR3和AFT20P140-4WNR3的区别

型号: MRF8P20140WHSR3

品牌: 恩智浦

封装: NI-780HS-4

功能相似

RF Power Transistor,1880 to 2025MHz, 140W, Typ Gain in dB is 16 @ 1920MHz, 28V, LDMOS, SOT1826

AFT18S290-13SR3和MRF8P20140WHSR3的区别