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A2T26H160-24SR3

A2T26H160-24SR3

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

RF Power Transistor,2496 to 2690MHz, 138W, Typ Gain in dB is 16.4 @ 2690MHz, 28V, LDMOS, SOT1799

RF Mosfet LDMOS(双) 2.58GHz 15.5dB 28W NI-780S-4L2L


得捷:
RF MOSFET LDMOS DL 28V NI780S


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin CFMF T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin CFMF T/R


RfMW:
RF Power Transistor,2496 to 2690 MHz, 138 W, Typ Gain in dB is 16.4 @ 2690 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1799


A2T26H160-24SR3中文资料参数规格
技术参数

频率 2.58 GHz

输出功率 28 W

增益 16.4 dB

测试电流 350 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 7

封装 NI-780S-4L2L

外形尺寸

封装 NI-780S-4L2L

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

A2T26H160-24SR3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
A2T26H160-24SR3 NXP 恩智浦 RF Power Transistor,2496 to 2690MHz, 138W, Typ Gain in dB is 16.4 @ 2690MHz, 28V, LDMOS, SOT1799 搜索库存