AOW11N60

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

TO-262 N-CH 600V 11A

通孔 N 通道 11A（Tc） 272W（Tc） TO-262

得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A TO262

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262

DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 11A TO262

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A TO262

AOW11N60中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 272W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 1990pF @25VVds

额定功率Max 272 W

下降时间 42 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 272W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

AOW11N60引脚图与封装图

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