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AON6992
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 主动器件

双N沟道配对 30V 19A 31A

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)非对称型 30V 19A,31A 3.1W 表面贴装型 8-DFN-EP(5x6)


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A


立创商城:
双N沟道配对 30V 31A 19A


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this AON6992 power MOSFET from Alpha &a; Omega Semiconductor. Its maximum power dissipation is Yes mW.


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 67/31A; 18/8W; DFN8


Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A


AON6992中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2.25 W

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 19A/31A

输入电容Ciss 820pF @15VVds

额定功率Max 3.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

AON6992引脚图与封装图
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