AO4854
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AO4854中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.3 W
极性 N-CH
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 888pF @15VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 3.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AO4854引脚图与封装图
暂无图片
替代型号AO4854
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AO4854 品牌： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装： 8-SOIC N-CH 30V 8A | 当前型号 | SOIC N-CH 30V 8A | 当前型号 |
| 型号： AO4818B 品牌： 万代半导体 封装： 8-SOIC N-CH 30V 8A | 完全替代 | 2个N沟道 30V 8A | AO4854和AO4818B的区别 |
| 型号： AO4822A 品牌： 万代半导体 封装： SOIC N-CH 30V 8A | 类似代替 | 30V,8.5A,双N沟道MOSFET | AO4854和AO4822A的区别 |