AOTF11N62L
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Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AOTF11N62L中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 39W Tc
漏源极电压Vds 620 V
连续漏极电流Ids 11A
输入电容Ciss 1990pF @25VVds
额定功率Max 50 W
耗散功率Max 39W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
AOTF11N62L引脚图与封装图
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