AOTF20B65M1
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Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AOTF20B65M1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 45 W
耗散功率 45000 mW
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 322 ns
额定功率Max 45 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 45000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
AOTF20B65M1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| AOTF20B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 45000mW 3Pin3+Tab TO-220F Tube | 搜索库存 |