AO4611

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

60V 6.3A 1个N沟道和1个P沟道

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V - 2W 表面贴装型 8-SOIC

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1个N沟道和1个P沟道 60V 6.3A

得捷:
MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 6.3A/4.9A 8-Pin SOIC

Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 6.3A/4.9A 8-Pin SOIC

TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary; 60/-60V; 5/-3.9A

Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 6.3A/4.9A 8-Pin SOIC

DeviceMart:
MOSFET N+P 60V 6.3A/4.9A 8SOIC

Win Source:
MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC

AO4611中文资料参数规格

技术参数

额定功率 1.28 W

极性 N+P

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 6.3A/4.9A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2300pF @30VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AO4611引脚图与封装图

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