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AOTF25S65
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

TO-220F N-CH 650V 25A

General Description

The AOT25S65 & AOB25S65 & have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDSon, Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs.

Product Summary

  VDS @ Tj,max                750V

  IDM                             104A

  RDSON,max                 0.19Ω

  Qg,typ                          26.4nC

  Eoss @ 400V                  5.8µC

  100% UIS Tested

  100% Rg Tested

AOTF25S65中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 50W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 25A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 1278pF @100VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 34 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOTF25S65引脚图与封装图
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