AON6594

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

30V,35A,N沟道功率MOSFET

表面贴装型 N 通道 22A（Ta），35A（Tc） 5W（Ta），39W（Tc） 8-DFN（5x6）

得捷:
MOSFET N-CH 30V 22A/35A 8DFN

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin DFN EP

力源芯城:
30V,35A,N沟道功率MOSFET

Win Source:
MOSFET N-CH

AON6594中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 5W Ta, 39W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 35A

输入电容Ciss 1037pF @15VVds

耗散功率Max 5W Ta, 39W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

AON6594引脚图与封装图

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