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AOC2804
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 主动器件

DFN N-CH 20V

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 - - 700mW 表面贴装型 4-AlphaDFN(1.57x1.57)


得捷:
MOSFET 2N-CH


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; 700mW; DFN4


AOC2804中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.7 W

极性 N-CH

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 2200 ns

额定功率Max 700 mW

下降时间 6500 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 XFDFN-4

外形尺寸

封装 XFDFN-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOC2804引脚图与封装图
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