
额定功率 1.3 W
极性 N-CH
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6.9A
上升时间 2.5 ns
输入电容Ciss 630pF @15VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: AO4800B 品牌: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装: 8-SOIC N-CH 30V 6.9A | 当前型号 | AO4800B 编带 | 当前型号 | |
型号: BSO350N03 品牌: 英飞凌 封装: 8-SOIC N-CH 30V 6A 480pF | 功能相似 | OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor | AO4800B和BSO350N03的区别 | |
型号: SP8K2TB 品牌: 罗姆半导体 封装: SOIC N-CH 30V 6A | 功能相似 | SP8K2 系列 30 V 6 A 30 mOhm 表面贴装 双 N 沟道 Mosfet - SOIC-8 | AO4800B和SP8K2TB的区别 |