AO4612
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AO4612中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.28 W
极性 N+P
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 4.5A/3.2A
上升时间 2.3 ns
输入电容Ciss 540pF @30VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 1.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AO4612引脚图与封装图
暂无图片
替代型号AO4612
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AO4612 品牌： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装： 8-SOIC N+P 60V 4.5A 3.2A | 当前型号 | SOIC N+P 60V 4.5A/3.2A | 当前型号 |
| 型号： IRF7343TRPBF 品牌： 国际整流器 封装： SOIC N-Channel 55V 4.7A | 功能相似 | MOS全桥,55V/4.7A-55V/-3.4A | AO4612和IRF7343TRPBF的区别 |
| 型号： IRF7343PBF 品牌： 国际整流器 封装： SOIC N-Channel 55V 4.7A | 功能相似 | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8Pin SOIC Tube | AO4612和IRF7343PBF的区别 |
| 型号： IRF7343 品牌： 国际整流器 封装： SOIC Dual N-Channel 55V 3.4A | 功能相似 | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8Pin SOIC | AO4612和IRF7343的区别 |