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AON3818
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 主动器件

DFN N-CH 24V 8A

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 24V 8A 2.7W 表面贴装型 8-DFN(3x3)


立创商城:
AON3818


得捷:
MOSFET 2N-CH 24V 8A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 24V 8A 8-Pin DFN


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 6A; 1.7W; DFN8


Win Source:
MOSFET 2N-CH 24V 8A


AON3818中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.7 W

极性 N-CH

漏源极电压Vds 24 V

连续漏极电流Ids 8A

上升时间 800 ns

输入电容Ciss 840pF @12VVds

额定功率Max 2.7 W

下降时间 5200 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

AON3818引脚图与封装图
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型号: AON3818

品牌: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

封装: 8-SMD N-CH

当前型号

DFN N-CH 24V 8A

当前型号

型号: AON3806

品牌: 万代半导体

封装: 8-SMD N-CH 20V 6A

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