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AON6411
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

P沟道,-20V,-85A,2.5mΩ@-4.5V

MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN


得捷:
MOSFET P-CH 20V 47A/85A 8DFN


立创商城:
P沟道 20V 47A


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin DFN EP


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -67A; 62.5W; DFN8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 47A 8-Pin DFN EP


DeviceMart:
MOSFET P-CH 20V 85A DFN5X6


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN


AON6411中文资料参数规格
技术参数

额定功率 62.5 W

极性 P-CH

耗散功率 156 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 10290pF @10VVds

额定功率Max 7.3 W

下降时间 90 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 7.3W Ta, 156W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

AON6411引脚图与封装图
AON6411引脚图

AON6411引脚图

AON6411封装图

AON6411封装图

AON6411封装焊盘图

AON6411封装焊盘图

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