AON3611

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

DFN N+P 30V 5A/6A

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道，共漏 30V 5A，6A 2.1W，2.5W 表面贴装型 8-DFN（3x3）

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN

立创商城:
AON3611

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8-Pin DFN

TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary; 30/-30V; DFN8

Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN

DeviceMart:
MOSFET COMPL 30V 5/6A 8DFN

AON3611中文资料参数规格

技术参数

极性 N+P

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 5A/6A

输入电容Ciss 170pF @15VVds

额定功率Max 2.1W, 2.5W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AON3611引脚图与封装图

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