AOTF15B65M2
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
额定功率 36 W
耗散功率 36000 mW
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 298 ns
额定功率Max 36 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 36000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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AOTF15B65M2 | Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 36000mW 3Pin3+Tab TO-220F Tube | 搜索库存 |