AOV15S60

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

DFN N-CH 600V 12A

N-Channel 600V 520mA Ta, 12A Tc 8.3W Ta, 208W Tc Surface Mount 4-DFN-EP 8x8

得捷:
MOSFET N-CH 600V 520MA/12A 4DFN

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin DFN EP

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.4A; DFN4

AOV15S60中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 8.3W Ta, 208W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 717pF @100VVds

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 8.3W Ta, 208W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 DFN-4

外形尺寸

封装 DFN-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

AOV15S60引脚图与封装图

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