AOT11S65L

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

TO-220 N-CH 650V 11A

通孔 N 通道 650 V 11A（Tc） 198W（Tc） TO-220

得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220

AOT11S65L中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 198W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 11A

输入电容Ciss 646pF @100VVds

耗散功率Max 198W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOT11S65L引脚图与封装图

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