AON2707

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

DFN P-CH 30V 4A

P-Channel 30V 4A Ta 2.8W Ta Surface Mount 6-DFN-EP 2x2

得捷:
MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin DFN EP

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.8W; DFN6

Win Source:
MOSFET P-CH 30V 4A DFN

AON2707中文资料参数规格

技术参数

额定功率 1.8 W

极性 P-CH

耗散功率 2.8W Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 305pF @15VVds

下降时间 6.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 DFN-6

外形尺寸

封装 DFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

AON2707引脚图与封装图

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