AOI7N60

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

TO-251A N-CH 600V 7A

N-Channel 600V 7A Tc 178W Tc Through Hole TO-251A

得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A TO251A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin3+Tab TO-251A Tube

DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 7A TO251A

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7A TO251A

AOI7N60中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 178W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 37 ns

输入电容Ciss 1170pF @25VVds

额定功率Max 178 W

下降时间 33 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 178W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

AOI7N60引脚图与封装图

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