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AOD1N60
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

600V,1.3A,N沟道MOSFET

二极管与整流器


得捷:
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this AOD1N60 power MOSFET from Alpha &a; Omega Semiconductor. Its maximum power dissipation is 45000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -50 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.8A; 45W; TO252


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


力源芯城:
600V,1.3A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252


AOD1N60中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 45 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 1.3A

上升时间 6.7 ns

正向电压Max 1 V

输入电容Ciss 160pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 11.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOD1N60引脚图与封装图
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