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AON6403
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

DFN P-CH 30V 85A

表面贴装型 P 通道 21A(Ta),85A(Tc) 2.3W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)


得捷:
MOSFET P-CH 30V 21A/85A 8DFN


艾睿:
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Alpha &a; Omega Semiconductor&s;s AON6403 power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 83000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -67A; 33W; DFN8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R


DeviceMart:
MOSFET P CH 30V 85A DFN5X6


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 21A 8DFN


AON6403中文资料参数规格
技术参数

额定功率 33 W

极性 P-CH

耗散功率 83 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 85A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 9120pF @15VVds

下降时间 52 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.3W Ta, 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

AON6403引脚图与封装图
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