AOB262L

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

60V,140A,N沟道MOSFET

表面贴装型 N 通道 60 V 20A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-263（D²Pak）

得捷:
MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

力源芯城:
60V,140A,N沟道MOSFET

DeviceMart:
MOSFET N CH 60V 140A TO263

Win Source:
60V N-Channel MOSFET

AOB262L中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.1W Ta, 333W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 140A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 9800pF @30VVds

额定功率Max 2.1 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta, 333W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 PB free

AOB262L引脚图与封装图

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