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AOT20N25L
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

250V,20A,N沟道MOSFET

N-Channel 250V 20A Tc 208W Tc Through Hole TO-220


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AOT20N25L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 208W Tc

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 31 ns

输入电容Ciss 1028pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOT20N25L引脚图与封装图
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