AOW29S50

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

TO-262 N-CH 500V 29A

通孔 N 通道 29A（Tc） 357W（Tc） TO-262

得捷:
MOSFET N-CH 500V 29A TO262

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18A; TO262

DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 29A TO262

AOW29S50中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 357W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 29A

输入电容Ciss 1312pF @100VVds

额定功率Max 357 W

耗散功率Max 357W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOW29S50引脚图与封装图

暂无图片

在线购买AOW29S50

型号	制造商	描述	购买
AOW29S50	Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体	TO-262 N-CH 500V 29A	搜索库存