AOI7S65

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

TO-251A N-CH 650V 7A

N-Channel 650V 7A Tc 89W Tc Through Hole TO-251A

得捷:
MOSFET N-CH 650V 7A TO251A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin3+Tab TO-251A Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 650V 7A TO251A

AOI7S65中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 89W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 7A

输入电容Ciss 434pF @100VVds

额定功率Max 89 W

耗散功率Max 89W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

AOI7S65引脚图与封装图

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