AOI4T60

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

600V,4A,N沟道MOSFET

N-Channel 600V 4A Tc 83W Tc Through Hole TO-251A

得捷:
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin3+Tab TO-251A Tube

力源芯城:
600V,4A,N沟道MOSFET

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A

AOI4T60中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 83W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 4A

输入电容Ciss 460pF @100VVds

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOI4T60引脚图与封装图

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