AOTF29S50L

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

TO-220F N-CH 500V 29A

通孔 N 通道 500 V 29A（Tc） 37.9W（Tc） TO-220F

得捷:
MOSFET N-CH 500V 29A TO220-3F

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin3+Tab TO-220F T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 29A TO220F

AOTF29S50L中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 37.9W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 29A

输入电容Ciss 1312pF @100VVds

额定功率Max 37.9 W

耗散功率Max 37.9W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

AOTF29S50L引脚图与封装图

暂无图片

在线购买AOTF29S50L

型号	制造商	描述	购买
AOTF29S50L	Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体	TO-220F N-CH 500V 29A	搜索库存