AOB286L

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

N沟道 80V 13A 70A

表面贴装型 N 通道 13A（Ta），70A（Tc） 2.1W（Ta），167W（Tc） TO-263（D2Pak）

得捷:
MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO263

立创商城:
N沟道 80V 13A 70A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin3+Tab TO-220

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 83W; TO263

AOB286L中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.1W Ta, 167W Tc

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 70A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 3142pF @40VVds

额定功率Max 2.1 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta, 167W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

AOB286L引脚图与封装图

暂无图片

在线购买AOB286L

型号	制造商	描述	购买
AOB286L	Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体	N沟道 80V 13A 70A	搜索库存