AOW12N65

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

TO-262 N-CH 650V 12A

通孔 N 通道 650 V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-262

得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A TO262

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; TO262

AOW12N65中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 278W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 12A

输入电容Ciss 2150pF @25VVds

额定功率Max 278 W

耗散功率Max 278W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOW12N65引脚图与封装图

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