AON6362

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

DFN N-CH 30V 27A

N-Channel 30V 27A Ta, 60A Tc 6.2W Ta, 31W Tc Surface Mount 8-DFN 5x6

得捷:
MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin DFN EP T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 27A DFN

AON6362中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 6.2W Ta, 31W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 27A

上升时间 16.5 ns

输入电容Ciss 820pF @15VVds

下降时间 2.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6.2W Ta, 31W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

AON6362引脚图与封装图

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