锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

AOI7N65
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

N沟道 650V 7A

General Description

The AOD7N65 & have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.

By providing low RDSon, Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline powersupply designs.

Product Summary

VDS    750V@150℃

IDat VGS=10V 7A

RDSONat VGS =10V < 1.56Ω

AOI7N65中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 178W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 43 ns

输入电容Ciss 1180pF @25VVds

额定功率Max 178 W

下降时间 32 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 178W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

AOI7N65引脚图与封装图
暂无图片
在线购买AOI7N65
型号 制造商 描述 购买
AOI7N65 Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 N沟道 650V 7A 搜索库存