AOB11S65L

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

D2PAK N-CH 650V 11A

表面贴装型 N 通道 650 V 11A（Tc） 198W（Tc） TO-263（D2Pak）

得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO263

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 198W; TO263

DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 11A TO263

Win Source:
MOSFET N-CH 650V 11A TO263

AOB11S65L中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 198W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 646pF @100VVds

额定功率Max 198 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 198W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOB11S65L引脚图与封装图

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