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AOB25S65L
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

650V,25A,N沟道MOSFET

表面贴装型 N 通道 650 V 25A(Tc) 357W(Tc) TO-263(D2Pak)


得捷:
MOSFET N-CH 650V 25A TO263


艾睿:
This AOB25S65L power MOSFET from Alpha &a; Omega Semiconductor can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 357000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This device is made with alphamos technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


力源芯城:
650V,25A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 25A TO263


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 25A TO263


AOB25S65L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 357 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 25A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 1278pF @100VVds

下降时间 34 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 357W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOB25S65L引脚图与封装图
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