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AOW11S65
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

TO-262 N-CH 650V 11A

通孔 N 通道 650 V 11A(Tc) 198W(Tc) TO-262


得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO262


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-262


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; TO262


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 11A TO262


AOW11S65中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 198W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 11A

输入电容Ciss 646pF @100VVds

额定功率Max 198 W

耗散功率Max 198W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOW11S65引脚图与封装图
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