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AOW25S65
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

TO-262 N-CH 650V 25A

通孔 N 通道 25A(Tc) 357W(Tc) TO-262


得捷:
MOSFET N-CH 650V 25A TO262


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin3+Tab TO-262 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; TO262


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 25A TO262


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 25A TO262


AOW25S65中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 357W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 25A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 1278pF @100VVds

额定功率Max 357 W

下降时间 34 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 357W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOW25S65引脚图与封装图
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