AOW10N60

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

TO-262 N-CH 600V 10A

N-Channel 600V 10A Tc 250W Tc Through Hole TO-262

得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO262

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; TO262

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A TO262

AOW10N60中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 250W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 66 ns

输入电容Ciss 1600pF @25VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 64 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOW10N60引脚图与封装图

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