AON6758

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

DFN N-CH 30V 32A

表面贴装型 N 通道 30 V 27A（Ta），32A（Tc） 4.1W（Ta），41W（Tc） 8-DFN（5x6）

得捷:
MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin DFN EP T/R

DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 32A 8DFN

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 32A 8DFN

AON6758中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 4.1W Ta, 41W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 32A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 1975pF @15VVds

额定功率Max 41 W

下降时间 6.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4.1W Ta, 41W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

AON6758引脚图与封装图

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