ALD212900PAL

Advanced Linear Devices 先进线性电子分立器件

双N沟道配对 10.6V 80mA

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）配对 10.6V 80mA 500mW 通孔 8-PDIP

得捷:
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

立创商城:
双N沟道配对 10.6V 80mA

贸泽:
MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

ALD212900PAL中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

极性 N-CH

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 10.6 V

连续漏极电流Ids 0.08A

输入电容Ciss 30pF @5VVds

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-8

外形尺寸

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ALD212900PAL引脚图与封装图

ALD212900PAL封装图

ALD212900PAL封装焊盘图

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