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AOT12N50
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

TO-220 N-CH 500V 12A

General Description

The & AOB12N50 & AOTF12N50 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDSon, Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline powersupply designs.

VDS       600V@150℃

IDat VGS=10V 12A

RDSON at VGS=10V < 0.52Ω

AOT12N50中文资料参数规格
技术参数

额定功率 250 W

极性 N-CH

耗散功率 250W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 69 ns

输入电容Ciss 1633pF @25VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 55.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOT12N50引脚图与封装图
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