AOWF11S60

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

TO-262F N-CH 600V 11A

通孔 N 通道 600 V 11A（Tc） 28W（Tc） TO-262F

得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A TO262F

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-262F

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; TO262F

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-262F

AOWF11S60中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 28 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 545pF @100VVds

额定功率Max 28 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 28W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

高度 10.65 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOWF11S60引脚图与封装图

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