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AOB29S50L
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

D2PAK N-CH 500V 29A

N-Channel 500V 29A Tc 357W Tc Surface Mount TO-263 D²Pak


得捷:
MOSFET N-CH 500V 29A TO263


艾睿:
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Alpha &a; Omega Semiconductor&s;s AOB29S50L power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 357000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This device is made with alphamos technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 29A TO263


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 29A TO263


AOB29S50L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 357 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 29A

上升时间 39 ns

输入电容Ciss 1312pF @100VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 357W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

AOB29S50L引脚图与封装图
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