ALD110808PCL
数据手册.pdf
Advanced Linear Devices
先进线性电子
主动器件
漏源极电阻 500 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
漏源极电压Vds 10.6 V
漏源击穿电压 10.0 V
栅源击穿电压 10.6 V
连续漏极电流Ids 12.0 mA
输入电容Ciss 2.5pF @5VVds
额定功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 DIP-16
封装 DIP-16
工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ALD110808PCL引脚图
ALD110808PCL封装图
ALD110808PCL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ALD110808PCL | Advanced Linear Devices 先进线性电子 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | 搜索库存 |