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ALD1116SAL

ALD1116SAL

数据手册.pdf
Advanced Linear Devices 先进线性电子 分立器件

双N沟道配对 10.6V

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)配对 10.6V - 500mW 表面贴装型 8-SOIC


得捷:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC


立创商城:
双N沟道配对 10.6V


贸泽:
MOSFET Dual N-Channel Pair


DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 13.2V 4.8MA 8SOIC


ALD1116SAL中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 500 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 400 mV, 400 mV

漏源极电压Vds 10.6 V

漏源击穿电压 ±12 V

栅源击穿电压 13.2 V

连续漏极电流Ids 4.80 mA

输入电容Ciss 3pF @5VVds

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ALD1116SAL引脚图与封装图
ALD1116SAL引脚图

ALD1116SAL引脚图

ALD1116SAL封装图

ALD1116SAL封装图

ALD1116SAL封装焊盘图

ALD1116SAL封装焊盘图

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