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ALD110900APAL

ALD110900APAL

数据手册.pdf
Advanced Linear Devices 先进线性电子 分立器件

双N沟道配对 10.6V

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)配对 10.6V - 500mW 通孔 8-PDIP


得捷:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP


立创商城:
双N沟道配对 10.6V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP


ALD110900APAL中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 500 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 10.6 V

漏源击穿电压 10.0 V

栅源击穿电压 10.6 V

连续漏极电流Ids 12.0 mA

输入电容Ciss 2.5pF @5VVds

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-8

外形尺寸

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ALD110900APAL引脚图与封装图
ALD110900APAL引脚图

ALD110900APAL引脚图

ALD110900APAL封装图

ALD110900APAL封装图

ALD110900APAL封装焊盘图

ALD110900APAL封装焊盘图

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