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ALD1117PAL

ALD1117PAL

数据手册.pdf
Advanced Linear Devices 先进线性电子 分立器件

PDIP P-CH 10.6V

MOSFET - 阵列 2 P 沟道(双)配对 10.6V - 500mW 通孔 8-PDIP


得捷:
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP


ALD1117PAL中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.80 kΩ

极性 P-Channel

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 10.6 V

输入电容Ciss 3pF @5VVds

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-8

外形尺寸

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ALD1117PAL引脚图与封装图
ALD1117PAL引脚图

ALD1117PAL引脚图

ALD1117PAL封装图

ALD1117PAL封装图

ALD1117PAL封装焊盘图

ALD1117PAL封装焊盘图

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