AOTF8N50

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

500V,8A,N沟道MOSFET

N-Channel 500V 8A Tc 38.5W Tc Through Hole TO-220-3F

得捷:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3F

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin3+Tab TO-220F

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220F

力源芯城:
500V,8A,N沟道MOSFET

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

AOTF8N50中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 38.5W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 8A

输入电容Ciss 1042pF @25VVds

额定功率Max 38.5 W

耗散功率Max 38.5W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

AOTF8N50引脚图与封装图

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